工信部推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm

MeiTai

工信部公开推广两款国产DUV光刻机！最小套刻≤8nm

IT之家 9 月 15 日消息，工业和信息化部于 9 月 9 日印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》通知，在文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩光刻机（65nm）的内容。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机

据“工信微报”介绍道，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。中国首台（套）重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

而观察者网注意到，在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》电子专用装备目录下，集成电路设备方面：氟化氩光刻机，光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机

IT之家附上这两行信息截图如下：

工信部公开推广两款国产DUV光刻机

氟化氪（KrF）和氟化氩（ArF）两种气体均服务于深紫外（DUV）光刻机，产生深紫外光的准分子激光器。

目前来说，光刻机共经历了五代的发展，从最早的 436 波长，再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line，第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波长的 DUV 激光，这就是 ArF 准分子激光。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机

图源：平安证券

ArF（氟化氩）准分子激光源光刻机，光源实际波长突破 193nm，缩短为 134nm，NA 值为 1.35，最高可实现 7nm 制程节点。

此次推广的氟化氩光刻机套刻≤8nm，套刻精度就是常说的“多重曝光能达到的最高精度”，按套刻精度与量产工艺 1:3 的关系，这个光刻机大概可以量产 28nm 工艺的芯片。

28 纳米光刻机，是芯片中低端和中高端的分界线，意味着工业独立，中国的空调洗衣机汽车等各类工业品，可以突破西方国家设置的重重封锁，自主生产销售。

来源 “工信微报”微信公众号、IT之家、观察者网 编辑 苏航 责编 李雅歆 审核 廖爽

MeiTai

美论坛惊讶：未获美国首肯，中国怎么敢擅自研发 DUV 光刻板？

小明为什么

中国成功研发DUV光刻机，引美国舆论哗然，质疑声不断。该技术突破彰显中国自主创新能力和决心，增强全球半导体产业链地位。中国坚持开放合作，推动全球科技进步，证明科技创新无国界，合作共赢是正道。
摘要由作者通过智能技术生成
有用
中国成功研发出DUV光刻机，这一消息如同投入平静湖面的一颗石子，在美国的舆论场上激起了层层涟漪。众多网友纷纷参与讨论，其中不乏质疑和不满的声音，将一个原本属于科技领域的突破，渲染上了一层复杂的国际政治色彩。

透过这些喧嚣的讨论，我们能够清晰地感受到美国部分人士内心深处的不甘和焦虑。他们似乎难以理解，为什么中国能够在没有美国帮助的情况下，独立自主地完成如此重要的技术突破。

这种“中国需要美国批准才能进步”的潜台词，本身就折射出一种根深蒂固的傲慢与偏见。中国的科技发展道路，从来都是依靠自身的努力和智慧，一步一个脚印走出来的。

一些美国网友对中国取得的成就感到不满，甚至表现出愤懑的情绪。他们似乎无法接受，中国没有事先和美国“打招呼”，就独自完成了这项关键技术的突破。更有一些人上纲上线，指责中国“偷偷搞研发”，没有与美国分享技术进展。

这种说法不仅毫无根据，更暴露了他们内心深处对中国科技实力不断增强的焦虑和恐慌，仿佛中国在科技领域的崛起对他们构成了一种莫名的威胁。那么，这个引发巨大争议的DUV光刻机，究竟有何神奇之处？

DUV光刻机，全称深紫外线光刻机，是芯片制造领域的核心设备之一。它就像一位技艺精湛的“雕刻大师”，能够将设计好的电路图案，精准地“刻画”到小小的硅片上，最终形成芯片的核心部件。

整个“雕刻”过程可以分为曝光、显影、蚀刻三个主要步骤，每一步都至关重要，环环相扣，共同决定了最终芯片的质量和性能。

曝光是光刻的第一步，也是至关重要的一环。DUV光刻机利用波长极短的深紫外光，将预先设计好的电路图案，如同投影一般，投射到涂有特殊光敏材料的硅片表面。

随后，进入显影环节。如同冲洗照片一般，经过显影液的处理，那些被光线照射到的区域会发生化学反应，清晰地显现出来，而未被照射到的区域则会被溶解，最终形成肉眼可见的电路图案。

最后的蚀刻环节，则是对电路图案进行最后的“精雕细琢”。通过化学反应，将那些不需要的材料去除，最终留下所需的电路图案，完成芯片的“雕刻”工作。

早在2018年，中国就公开提出了自主研发DUV光刻机的计划，并设定了在2023年实现技术突破的目标。面对这项充满挑战的任务，中国没有丝毫退却，而是迎难而上，决心攻克难关，掌握核心技术。

在研发过程中，中国科研团队克服了无数的技术难题，例如高精度光学系统的设计、稳定光源的制造以及复杂材料的应用等等。他们夜以继日，不懈努力，最终取得了举世瞩目的成就，让中国芯的梦想照进了现实。

DUV光刻机的成功研发，标志着中国在芯片制造领域迈出了具有里程碑意义的一步，不仅意味着中国可以降低对国外技术的依赖，更增强了中国在全球半导体产业链中的地位和话语权。

更重要的是，这项成就充分彰显了中国自主创新的能力和决心，向世界证明，中国有能力在科技领域不断取得突破，实现从“跟跑者”到“领跑者”的转变，在世界科技的舞台上奏响属于自己的华彩乐章。

美国对中国研发DUV光刻机的反应，折射出其根深蒂固的霸权思维。他们似乎认为，世界科技的发展应该由他们主导，其他国家只能亦步亦趋地跟随，而中国自主研发DUV光刻机的举动，无疑打破了他们心中既定的秩序。

然而，时代的车轮滚滚向前，世界格局已经发生了翻天覆地的变化。在全球化时代，科技创新不再是某个国家的专利，而是全人类共同的追求。任何试图阻碍或压制其他国家科技发展的行为，最终都将是徒劳无功的。

近年来，全球科技合作日益密切，开放共享已成为不可阻挡的时代潮流。各国科学家携手合作，共同攻克技术难题，推动人类文明进步。

中国始终秉持开放包容的态度，积极参与国际科技合作，为全球科技发展贡献力量。事实证明，只有打破壁垒，携手合作，才能共同创造更加美好的未来。

美国网友对中国DUV光刻机技术的反应，反映了他们在全球科技发展观念上的滞后和偏颇。中国在没有美国帮助的情况下取得的成就，恰恰证明了科技创新无界限，合作共赢才是正道。

中国自主研发DUV光刻机，不仅是中国科技实力的体现，更是对全球科技合作与进步的有力推动。未来，中国将继续坚定不移地走自主创新之路，为构建人类命运共同体贡献更多力量。